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速率达每秒250亿比特的光纤传输技术

来源:雷火官方    发布时间:2023-12-16 07:52:07

  《日经产业新闻》19日报道说,日本两家机构联合试制出一种采用光传输技术的装置,它以每秒250亿比特的速率,创下迄今大规模集成电路间数据传输的世界最高速纪录。

  日本电气公司和东京工业大学研发的这种装置,由半导体激光器和数千根光回路组成。其中的半导体激光器能将电信号转换成光信号,光回路则可以在大规模集成电路之间传输光信号。

  超级计算机要实现超高速运算,其内部多个大规模集成电路需要彼此连接。现有多数超级计算机采用电子线路连接大规模集成电路,要实现每秒100亿比特以上的高速数据传输十分艰难,但光传输技术能突破这个极限。

  报道援引业内人士的预测说,类似装置将来如果应用于更先进的大规模集成电路,大规模集成电路之间的数据传输速率有可能提高到每秒20万亿比特。

  11月8日,丽水超大规模集成电路制造用超高纯钽项目正式投产。据悉,丽水经开区去年引进江丰电子超大规模集成电路用超高纯钽产业化项目,项目组织实施方为同创普润(上海)特种材料有限公司。据丽水日报报道,宁波江丰电子材料股份有限公司董事长兼首席技术官、同创普润(上海)特种材料有限公司的重要股东姚力军表示,项目布局了6台国际领先、中国最大的电子束炉,投产后将形成年产电子级超高纯钽400吨的能力,满产后产值超过50亿元。据介绍,从引进到建成产业基地再到实现投产,丽水同创超大规模集成电路制造用超高纯钽项目仅用了一年时间,还实现了制造装备完全国产化,填补了该领域空白。

  等新材料沟道进行堆叠的场效应晶体管相关研究皆有报道。半导体研究中心(TSRI)团队在制备晶体管阵列的基础上,完成了首个由Ge沟道n/p型晶体管组成的CMOS反相器,相关成果以“The First Ge Nanosheets GAAFET CMOS Inverters Fabricated by 2D Ge/Si Multilayer Epitaxy, Ge/Si Selective Etching”发表于2021年超大规模集成电路技术系统与应用国际研讨会(VLSI-TSA,2021 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications),朱

  近日,山东省科技统计分析研究中心评选出2020年度山东“十大科技成果”和“十大科技新闻”。图片来自:山东新闻“18英寸硅单晶及部件全国首次成功投产”与“大规模集成电路封装核心材料实现突破”入选2020年度山东“十大科技成果”。18英寸硅单晶及部件全国首次成功投产大规格高纯硅单晶是先进半导体设备的核心部件材料,是纳米级半导体制程良率的重要保障。经过4年研发,国家重点研发计划“大尺寸高纯稀有金属制品制备技术”结出成果,山东有研半导体材料有限公司成功攻克大规格高纯硅单晶技术,并实现成果转化,填补省内空白。据山东公布消息,该成果有效解决了大规格单晶生长过程热应力、固液界面稳定性、氧含量、纯度、典型缺陷及电阻率控制等问题,达到全球领先水平

  封装核心材料实现了突破 /

  8月14日,国务院国资委公布消息显示,目前,中国化工黎明化工研究设计院(以下简称:黎明院)高纯四氟化碳和六氟化硫的年产能可达2000吨,价格与进口同种类型的产品相当,但性能好价格低,可完全实现对进口产品的替代。中国化工集团有限公司今年6月消息显示,由中国化工黎明院承担的国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备与成套工艺”子项目“高纯四氟化碳和六氟化硫研发与中试”近日通过国家重大专项项目组的测试与评审,标志着我国极大规模集成电路行业所需高纯度含氟电子气体实现国产化。高纯度含氟电子气体是极大规模集成电路行业必需的清洗和蚀刻气体,在芯片制作的步骤中保障极大规模集成电路的生成,确保电路有效发挥作用。随着极大规模集成电路技术的提升,芯片制程向14纳米

  集微网消息(文/春夏)12月8日,中国集成电路创业史陈列馆(以下简称“陈列馆”)在重庆永川重庆大学城市科技学院正式揭牌、开馆。陈列馆揭牌该陈列馆从酝酿到筹建经过了两年多时间,在重庆声光电公司、永川区政府和重庆大学城市科技学院的共同努力下,在重庆大学城市科技学院内,中国电子科技集团公司第二十四研究所原科研楼旧址上改建而成。据人民网报道,这里曾诞生中国第一块大规模集成电路。据悉,陈列馆以中国集成电路发展史为脉络,以半导体集成电路产业形成发展为切入点,以翔实的史料记录了创业者为集成电路发展付出的心血,以及我国半导体集成电路产业经历的沧桑巨变。陈列馆同时也是我国科研院所改革开放四十年来的历史缩影,是对参与三线建设者无私奉献、勇于攀登

  近日,“极大规模整合电路制造装备及成套工艺”专项2014年工作务虚会在京召开。会议由科技部曹健林副部长主持。曹健林副部长表示,专项自实施以来,我国已经在整合电路高阶装备、成套工艺、关键材料、封装测试等领域取得了部分突破,一批65-28纳米高阶设备通过量产验证,部分实现批次采购,40纳米成套工艺成功量产,光刻机整机整合及零部件技术水平迅速提升,封测产业加速升级,专项成果辐射相关产业应用。另中国半导体行业协会预计,2014年国内整合电路产业销售额增幅将达到20%,规模将超过3000亿元。工信部电子司副司长彭红兵表示,国家对半导体与整合电路产业高质量发展格外的重视,近期要密集出台一系列扶持整合电路行业发展的政策。据中国半导体行业协会数据,

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